文章編號：(1992)02-53-3
VCAD法沉積氮化鈦膜的X—射線研究
劉興誠 袁鎮(zhèn)海 戴達(dá)煌 羅廣南 謝致薇
(廣州有色金屬研究院)
摘 要: 用VCAD法在不銹鋼和工模具鋼基體上沉積均勻、致密的TiN膜時，TiN膜的色澤、結(jié)晶取向和點陣常數(shù)均可能隨著工藝參數(shù)的改變而改變，論文作者用XRD法研究了不同條件下該TiN膜的結(jié)構(gòu)和點陣常數(shù)的變化，以及擇優(yōu)取向度，并對膜的行為差異作了分析，結(jié)果表明：隨著涂層中氮含量的增加，點陣常數(shù)值增大;TiNx的色澤與氮含量有關(guān);擇優(yōu)取向主要取決于偏壓。
關(guān)鍵字: VCAD法 氮化鈦膜，X—射線
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Abstract:
Key words:
